Отдел международной аспирантуры и докторантуры

Управление подготовки кадров высшей квалификации

Open Doors: Russian Scholarship Project
Романов Алексей Евгеньевич
д.ф.-м.н., Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН), 1989
Научные интересы
  • Микро- и наномеханика дисклинаций в твердых телах
  • Мезоскопические модели пластической деформации и разрушения
  • Физико-механические свойства аморфных, наноструктурных и нанокомпозитных материалов
  • Микро- и наномеханика дислокационных дефектов в тонкопленочных материалах электроники и оптоэлектроники
  • Теоретические основы функционирования современных оптоэлектронных устройств
 Отличительные особенности программы Взаимодействие с исследовательскими центрами Германии (Технический университет Фрайберга, Европейский лазер на свободных электронах, Гамбург), Финляндии (Университет Аалто), Эстонии (Таллинский университет технологий), США (Калифорнийский университет Санта-Барбара, Университет Вирджинии)
 Перечень исследовательских проектов потенциального научного руководителя (участие/руководство)
  • Теория структурных дефектов в нанобъектах и наноматериалах, грант № 19-19-00617, Российский научный фонд - руководитель
  • Исследование фундаментальных процессов генерации и детектирования одиночных фотонов, проект № 2019-1442, Министерство науки и высшего образования Российской Федерации - участник
  • Разработка технологии и технологического оборудования для изготовления активных компонентов фотонных интегральных схем на платформе InP, предназначенных для применения в анализаторах оптических сигналов, Центр компетенций национальной технологической инициативы по направлению "Фотоника", Фонд поддержки проектов национальной технологической инициативы  - участник
 Перечень возможных тем для исследования
  • Микро- и наномеханика твердых тел
  • Теория дефектов в функциональных материалах
  • Дислокации в широкозонных полупроводниках
  • Моделирование приборов электроники и оптоэлектроники
  • Компьютерное материаловедение
 Количество публикаций в журналах, индексируемых Web of Science или Scopus, за последние 5 лет 75
 Основные публикации
  1. Romanov A.E., Kolesnikova A. Micromechanics of defects in functional materials // Acta Mechanica - 2021, Vol. 232, No. 5, pp. 1901-1915
  2. Romanov A.E., Kolesnikova A.L., Gutkin M.Y. Elasticity of a cylinder with axially varying dilatational eigenstrain // International journal of Solids and Structures - 2021, Vol. 213, pp. 121-134
  3. Kolesnikova A., Rozhkov M.A., Abramenko N.D., Romanov A.E. On mesoscopic description of interfaces in graphene // Physics of Complex Systems - 2020, Vol. 1, No. 4, pp. 129-134
  4. Chernakov A.P., Kolesnikova A.L., Gutkin M.Y., Romanov A.E. Periodic array of misfit dis-location loops and stress relaxation in core-shell nanowires // International Journal of Engi-neering Science - 2020, Vol. 156, pp. 103367
  5. Romanov A.E., Kolesnikova A., Yasnikov I.S., Vikarchuk A.A., Dorogov M.V., Priezzheva A.N., Dorogin L.M., Aifantis E.C. Relaxation phenomena in disclinated microcrystals // Re-views on Advanced Materials Science - 2017, Vol. 48, No. 2, pp. 170-178
 Наиболее значимые результаты интеллектуальной деятельности
  1. Полупроводниковая подложка, полупроводниковое устройство и способ получения полупроводниковой подложки, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, Т. Ланг. Патент РФ RU2368030, приоритет 14.12.2004, выдан 20.09.2009.
       1.1. Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor substrate, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, T. Lang, China patent ZL 2005 8 0042970.7, priority 19.05.2005, granted 13.05.2009.
       1.2. Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor substrate, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, T. Lang, Hong Kong patent HK1111264, priority 19.05.2005, granted 31.12.2009. 
       1.3. Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor substrate, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, T. Lang, R Korea patent № 10-1159156, priority 19.05.2005, granted 18.06.2012.
  2. A method for reducing internal mechanical stresses in a semiconductor structure and a low mechanical stress semiconductor structure, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Patent of Finland 20095937 No 123319, priority 10.09.2009, granted 28.02.2013.
  3. A heat sink module for led light sources, Е.В. Губернаторов, И.Н. Ивукин, В.Е. Бугров, А.Р.  Ковш, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, патент РФ на полезную модель 2013146214, приоритет 17.10.2013, положительное решение 14.03.2014.
  4. Устройство для выращивания профилированных монокристаллов β-ga2o3, В.И. Николаев, В.М. Крымов, В.Н. Маслов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, П.С. Ширшнев, патент РФ на полезную модель 2016134366, приоритет 22.08.2016, положительное решение 18.04.2017.
  5. Прозрачный проводящий оксид, Т.Г. Ляшенко, Е.В. Ширшнева-Ващенко, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, П.С. Ширшнев, Патент РФ 2017146493, приоритет 27.12.2017, положительное решение 30.10.2018.
 Требования, предъявляемые к аспиранту Хорошая математическая подготовка
 Направление подготовки, на которое будет приниматься аспирант
01.06.01 Математика и механика
Специальность (профиль): Механика деформируемого твердого тела
 
03.06.01 Физика и астрономия
Специальность (профиль): Физика конденсированного состояния
Специальность (профиль): Физика полупроводников
 
12.06.01 Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии
Специальность (профиль): Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
 
22.06.01 Технологии материалов
Специальность (профиль): Металловедение и термическая обработка металлов и сплавов